未上市股票詢價 0903-071-871 陳先生
光電業進軍舊金山 成果豐碩
經濟部國際貿易局為協助光電業者搶攻美國市場商機,委託外貿協 會組團前往舊金山,參加於莫斯康展覽中心隆重登場的「美國西部光 電展(SPIE PHOTONICS WEST)」,成果亮麗。
外貿協會表示,該展為全球光電領域重要會議暨展覽盛會,由全球 光電及雷射應用領域權威機構-國際光學工程學會(SPIE)主辦,今 年吸引1,350家參展商,湧入超過23,000位專業人士到場參觀。
台灣參展廠商包括和蓮光電、亞洲光學、揚明光學、聯穎光電、宏 明科技、騰錂鐳射及成大微奈米科技研究中心等,展出各類光學材料 及光學組件、光學鏡頭、可變波長光源系統、光通訊波分覆用器、透 鏡陣列、KW級光纖雷射零組件、智慧晶片及微奈米檢測等產品及技術 。
揚明光學首度參與展會,以光學模組及光學零組件之設計、製造、 量產的一條龍專業技術為主,此次展出光學零組件與微投影模組,積 極搶攻展智慧家居及車用市場,開展後即吸引不少買主駐足詢問,產 品相當受買主歡迎。
和蓮光電展示以矽基型液晶空間光調變器LCoS-SLM、微型LED啟動 套件、數位調製以及先進的矽背板技術,多次參展已累積眾多的客戶 群,展覽期間吸引大量買主不斷前來參觀及詢問,展覽成效相當良好 。
亞洲光學為全球第一大光學元件廠,深耕光學領域多年,並有完整 的產品及技術垂直整合能力,隨著車載及光通訊市場需求快速成長, 現場也吸引許多目標客戶來訪,未來商機備受看好。
聯穎併坤鉅 聯電 布局砷化鎵代工
看好功率放大器(PowerAmplifier,PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求,聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場,除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電,昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。
今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年,由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻,而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠,4G手機均要能支援全球20頻段,因此需要採用更多的PA晶片。
此外,物聯網應用今年開始出現爆炸性成長,為了讓物物相聯,不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術,均需要搭載PA晶片。也因此,去年下半年PA晶片嚴重供不應求,包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿,並持續擴大委外代工,所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀,而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。
聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案,最高認購金額不超過5.4億元,同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電,出售價格合計4.4億元,聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。
聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技,換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股,合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源,提升競爭力,並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本,提升營運績效,創造更大獲利空間,也可爭取國際大廠代工訂單。
聯電擬加碼投資聯穎光電
晶圓代工廠聯電將加碼投資砷化鎵晶圓代工廠聯穎光電,增加投資金額以新台幣3億元為限。
聯穎光電成立於民國99年10月,主要投入砷化鎵晶圓代工業務,目前資本額11.81億元;聯電為最大股東,持股比重達74.69%。
聯穎光電營運虧損,據聯電財報資料顯示,聯穎光電前3季稅後淨損2.33億元,每股虧損1.97元。
為彌補虧損、改善財務結構及充實營運資金,聯穎光電計劃減資再增資。聯電決定參與聯穎光電現金增資,增資額度以3億元為限。
公司簡介
聯穎光電股份有限公司成立於民國九十九年十月,為聯電集團新投資事業群的一員,目前座落於台灣新竹科學園區聯電 Fab 6A廠區,為竹科第一座六英吋砷化鎵純晶圓代工服務公司。
聯穎擁有最先進的III-V 族製程與製造設備,利用規模化生產以提供客戶高度競爭力的附加價值,生產提供終端商業應用之高性能元件以及高品質的砷化鎵微波電晶體及射頻積體電路,同時跨足再生能源領域,提供聚光型太陽能電池晶片之代工服務。
聯穎提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務及最先端的砷化鎵電晶體製程技術予全球積體電路設計公司及整合元件製造廠。本著持續創新原則,擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神,為客戶創造最大的價值。
藉由提供III-V族業界最廣泛產品組合的代工服務,以及最佳化的砷化鎵晶圓代工商業模式,聯穎期許於不久的將來能夠在全球砷化鎵市場躋身領先地位。
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統一編號
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53170263
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公司狀況
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核准設立 (備註)
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公司名稱
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聯穎光電股份有限公司 「工商憑證申請」 「工商憑證開卡」 「廠商英文名稱查詢(限經營出進口或買賣業務者)」
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資本總額(元)
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2,000,000,000
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實收資本額(元)
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1,813,771,110
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代表人姓名
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陳文洋
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公司所在地
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新竹科學園區 新竹縣創新一路10號3樓 ![GPS電子地圖 GPS電子地圖](https://imageproxy.pixnet.cc/imgproxy?url=https://serv.gcis.nat.gov.tw/pub/images/btn_gpsMap.png)
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登記機關
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科技部新竹科學工業園區管理局
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核准設立日期
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099年10月18日
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最後核准變更日期
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108年01月31日
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所營事業資料
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CC01080 電子零組件製造業
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F401010 國際貿易業
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CC01060 有線通信機械器材製造業
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CC01070 無線通信機械器材製造業
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研究、設計、開發、製造及銷售下列產品:
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(1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率
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電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A
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mplifier & pHEMT RF Switch Device)
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(2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based
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Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer)
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(3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs
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Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer)
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(4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer)
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(5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(High Voltage GaAs HBT Epiwafer)
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(6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE
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MT Epiwafer)
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(7)積體電路
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(8)各種半導體零組件
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(9)積體電路測試與包裝
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